Qua kích thước> trong bố trí

[mary96960]

Một nguyên tắc của tôi trong D / R nói "(VX có kích thước bằng 0,095 μm / cạnh, sau đó kích thước của -0,345 μm / cạnh) chiều rộng tối đa". ≤ 0,60.Bất cứ ai ở đây hiểu ý nghĩa này là gì?
Cảm ơn bạn.

 

[leohart]

và cũng những gì về việc này không? thêm lý do tại sao sau đó trừ đi cùng một số?
①.(N / P MOS Vth) lớp có thể được định nghĩa là quy tắc dưới đây:
(A) ([(LVN) (LVP) (VDN) (VDP)]) -0.44um/side um/side-0.44um/side 0,44 0,44 um / phụ
(B) Xác định khu vực số hóa giai điệu như D (Dark).

N / P = Normal Vth MOS NMOS ngưỡng điện áp & PMOS cấy ghép kênh
LVN = thấp ngưỡng điện áp NMOS cấy ghép kênh
LVP = thấp ngưỡng điện áp PMOS cấy ghép kênh
VDN = suy thoái NMOS cấy ghép kênh
VDP = suy thoái PMOS cấy ghép kênh

 

[Hughes]

leohart đã viết:

và cũng những gì về việc này không? thêm lý do tại sao sau đó trừ đi cùng một số?

①.
(N / P MOS Vth) lớp có thể được định nghĩa là quy tắc dưới đây:

(A) ([(LVN) (LVP) (VDN) (VDP)]) -0.44um/side um/side-0.44um/side 0,44 0,44 um / phụ

(B) Xác định khu vực số hóa giai điệu như D (Dark).N / P = Normal Vth MOS NMOS ngưỡng điện áp & PMOS cấy ghép kênh

LVN = thấp ngưỡng điện áp NMOS cấy ghép kênh

LVP = thấp ngưỡng điện áp PMOS cấy ghép kênh

VDN = suy thoái NMOS cấy ghép kênh

VDP = suy thoái PMOS cấy ghép kênh

 

[leohart]

Hughes đã viết:leohart đã viết:

và cũng những gì về việc này không? thêm lý do tại sao sau đó trừ đi cùng một số?

①.
(N / P MOS Vth) lớp có thể được định nghĩa là quy tắc dưới đây:

(A) ([(LVN) (LVP) (VDN) (VDP)]) -0.44um/side um/side-0.44um/side 0,44 0,44 um / phụ

(B) Xác định khu vực số hóa giai điệu như D (Dark).N / P = Normal Vth MOS NMOS ngưỡng điện áp & PMOS cấy ghép kênh

LVN = thấp ngưỡng điện áp NMOS cấy ghép kênh

LVP = thấp ngưỡng điện áp PMOS cấy ghép kênh

VDN = suy thoái NMOS cấy ghép kênh

VDP = suy thoái PMOS cấy ghép kênh