những gì các hình thức kênh trong một MOS

[t]

Nói V (S) = V (D) = 0, VGS> Theo TTXVN.
Nghi ngờ của tôi là: Nhưng hình thức kênh?Là các lớp mẫu điện tử mà các đảo ngược được tạo ra bởi ehp ở bề mặt?hoặc chúng được tiêm từ nguồn?

I didnt tìm thấy câu trả lời chính xác trong bất kỳ cuốn sách văn bản.Xin vui lòng giúp đỡ.

 

[Willt]

Miễn là VGS - Theo TTXVN> 0, một kênh được tạo thành từ các điện tử ở bề mặt được kết nối với mặt đất cho NMOS.
Khi có tiềm năng khác nhau giữa cống và nguồn, dòng chảy hiện thông qua transistor.

 

[A_U_J]

Thats một câu hỏi tốt.
Vâng, tôi nghĩ rằng khi VDS = 0 và VGS> 0, sau đó kênh trong một transistor NMOS là do các es ở bề mặt (tàu sân bay thiểu số trong substrate.Hence giảm giá hiện tại của một bóng bán dẫn. Khá thấp, tương tự như của một diode)
Tuy nhiên khi VDS> 0, sau đó chúng tôi có thêm es từ nguồn đóng góp cho current.Additonally chúng tôi có một cơ chế trôi dạt đó đẩy nhanh lỗ từ nguồn để đạt được cống.

Vì vậy, kết luận:
1) VDS <0 và VGS> 0, es là từ p-sub trong NMOST
2) VDS> 0 và VGS> 0.es được từ cả hai nguồn và n-p-sub trong NMOT.

Hope this helps.
PS: Tôi không có bất kỳ bằng chứng cụ thể cho điều này, nhưng tôi đã thảo luận với kẻ khác có kinh nghiệm và họ cảm thấy lời giải thích ở trên là chính xác.

 

[swarnavenu]

Chào,

Khi VGS là tích cực, điện áp tích cực vào cổng thu hút các điện tử (tàu sân bay thiểu số) từ substrate.Also vì nguồn và cống có rất nhiều các điện tử, và chúng tôi có (Cgs và CGD chồng chéo mũ), một số electron góp phần vào việc kênh hình thành.

 

[toán qua tec non]

Đối với NMOS:

VGS tăng sẽ thu hút các hãng điện tử dân tộc thiểu số (subs.) - do điện trường trên toàn oxit-gần bề mặt oxit, khi nồng độ điện tử tại giao diện si oxit = nồng độ lỗ ở bề mặt người ta nói rằng điều này áp dụng VGS = Theo TTXVN. (Theo TTXVN defin này. độc lập của VDS)

Tôi nghĩ rằng những gì A_U_J nói là đúng.

Nhưng những gì về sự hình thành ldd đó được thực hiện để minmize tàu sân bay tiêm từ nguồn / vùng thoát?

 

[s_babayan]

dear bạn bè, tôi đề nghị bạn để nghiên cứu cuốn sách này:

1/analysis và thiết kế mạch tích hợp tương tự của Gray