R
roykyn
Guest
Tôi đã cố gắng bên thấp mạch MOSFET kênh N và nó hoạt động hoàn hảo. Tôi không hiểu lý do tại sao các mạch phía cao không làm việc.
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
F
FvM
Guest
[Trích dẫn nội dung bài viết này không có ai giải thích cho tôi rằng trong thuật ngữ đơn giản [/quote] Như tôi đã nói, bạn đã thậm chí không đề cập đến, mà bạn lên kế hoạch một bên cao chuyển đổi. Bạn chỉ làm trong chủ đề khác, như tôi đã biết ngay hôm nay. Bí mật của hành vi N-MOSFET phía cao đặt trong VGS tham số, thứ (ngưỡng cửa khẩu nguồn điện áp). Để biến các MOSFET, điện áp ngưỡng phải áp dụng giữa cổng và nguồn. Giả sử nó được 3V, sau đó nút 3 không thể tiếp cận nhiều hơn 3 nút V trong mạch thử nghiệm trên của bạn. Nếu bạn nhìn vào các bảng dữ liệu tương ứng, bạn sẽ tìm thấy kháng nhà nước (RDS) là một chức năng của VGS. Nếu các điện áp treshold là ví dụ 3 V, RDS, có thể được tiếp tục giảm bằng cách tăng VGS 10 hoặc 12 cấp độ logic V. FET bật với VGS 5V chỉ.
Tôi không nghĩ như vậy. Hiện nay chỉ thường xuyên được vẽ bởi R1 trong tiểu bang, khi các tụ điện tải và khởi động hệ điều hành được nạp lại. Tôi nghĩ rằng mạch là tốt, tôi đã từng thiết kế một trình điều khiển tương tự cho trình diễn một mạch SMPS phòng thí nghiệm.Vấn đề với mạch wizpic là các bóng bán dẫn tiêu tan rất nhiều năng lượng
R
roykyn
Guest
ok đã nhận nó. điện áp trên nguồn-cống (qua các MOSFET) được áp dụng cho nguồn cửa khẩu (VGS). Vì vậy, nó giống như áp dụng 12v 3v và không. vì vậy giải pháp cho ổ đĩa hệ thống như vậy là những gì. nó chỉ bootstrapped lái xe .. những gì nếu tải điện dung (hoặc MOSFET phía cao một cầu H). Tôi phải sử dụng một cầu H để sạc tụ bootstrap. (Sử dụng 2 bóng bán dẫn đến phí và 2 để đặt nó qua cửa khẩu nguồn) [trích dẫn nội dung bài viết này tôi không nghĩ như vậy. Hiện nay chỉ thường xuyên được vẽ bởi R1 trong tiểu bang, khi các tụ điện tải và khởi động hệ điều hành được nạp lại. Tôi nghĩ rằng mạch là tốt, một lần tôi thiết kế một trình điều khiển tương tự cho trình diễn một mạch SMPS phòng thí nghiệm [/quote], tôi đã cố gắng ckt bóng bán dẫn 2. Sẽ có một điểm (trong làn sóng tín hiệu đầu vào tức là hình vuông) mà cả trên và dưới bóng bán dẫn sẽ tiến hành để nó kết quả trong tản.
H