BJT cho một câu hỏi diode

L

ljy4468

Guest
Kính thưa tất cả,

Khi BJT NPN được sử dụng cho diode pn,
thu là thiếu căn cứ.(Diode kết nối TR)

Nó đảm bảo kiến ngược lại của cơ sở và bộ thu.

Sau đó tình hình sẽ xảy ra như thế nào khi thu được kết nối với điện áp vdd? Nhất (tích cực) do đó, nó cũng đảm bảo sự thiên vị đảo ngược?

Nhưng tôi đã không thấy diode TR kết nối như thế.
Bất cứ ai mang lại cho tôi giải thích thêm??

Kính trọng,
Cảm ơn

 
khi ur kết nối nó vào một tích cực cung cấp nhiều hơn bạn đang có hiệu quả làm tăng sự suy giảm trong khu vực đường giao nhau thu cơ sở do đó làm giảm chiều rộng cơ sở hiệu quả và hiệu quả này sẽ cho phép đặt các bóng bán dẫn trong khu vực bão hòa hoặc khu vực hoạt động ...do đó, nó wont hành xử như một diode ...

 
Cảm ơn, nhưng tôi có một câu hỏi khác.

thu là thiếu căn cứ.(Diode kết nối TR)

Nó đảm bảo kiến ngược lại của cơ sở và bộ thu.

Ok, đó là phải.

Sau đó kết nối Trong BJT diode,

tất cả các dòng hiện hành từ căn cứ (p) để emitter (n)?

bởi vì người thu gom (n) và cơ sở p () là đảo ngược thiên vị??

Tôi là một chút nhầm lẫn.

 
những gì có được để lẫn lộn trong này ...kể từ ngã ba căn cứ thu được đảo ngược gonna kiến có thể chỉ là rò rỉ hiện nay từ đó ....khác hơn là con đường emitter cơ sở cho hiện tại là gonna được có ...

bây giờ nói những gì nhầm lẫn của bạn là tất cả về một chút rõ ràng ....

 
Ok, tôi hoàn toàn hiểu những gì bạn đang nói.

nhưng, đây là một loại vật liệu mà lẫn lộn.

hình ảnh này là từ cuốn sách.
'Nguyên tắc cơ bản của vi điện tử', razavi, Wiley

Theo attatched, căn cứ hiện tại chỉ là Iref / beta.
Điều đó có nghĩa là phần còn lại của hiện tại phải lưu lượng để thu gom.
Không phải là nó?

tức là, cho kết nối BJT diode,
Nếu ib = 1, ic = 99, tức là = 100.

Nhưng như bạn đã đề cập, thu hiện tại chỉ rò rỉ hiện nay.
Vì vậy, tôi bối rối.

Bạn có giải thích thêm xin vui lòng?

Đối với BJT kết nối diode, tất cả các dòng điện chạy từ căn cứ để emitter?

Kính trọng,
Cảm ơn bạn.
Xin lỗi, nhưng bạn cần đăng nhập để xem tập tin đính kèm này

 
xin lỗi người đàn ông tôi có một chút nhầm lẫn ...thực sự ở đây các nhà sưu tập có một điện áp lớn hơn nguồn bức xạ ...đủ để được hoạt động và do đó sẽ có hiện thông qua các nhà sưu tập cũng .....

tôi nghĩ rằng các bóng bán dẫn trong cấu hình như vậy được gọi là diode kết nối bởi vì nó chỉ có hai thiết bị đầu cuối ....khi bạn kết nối nó với một nguồn cung cấp dương tính bạn không thể gọi nó như vậy ....

 
Cảm ơn bạn vui lòng trả lời!

Anand A. Srinivasan đã viết:

xin lỗi người đàn ông tôi có một chút nhầm lẫn ...
thực sự ở đây các nhà sưu tập có một điện áp lớn hơn nguồn bức xạ ...
đủ để được hoạt động và do đó sẽ có hiện thông qua các nhà sưu tập cũng .....tôi nghĩ rằng các bóng bán dẫn trong cấu hình như vậy được gọi là diode kết nối bởi vì nó chỉ có hai thiết bị đầu cuối ....
khi bạn kết nối nó với một nguồn cung cấp dương tính bạn không thể gọi nó như vậy ....
 
k. ..xem xét này, theo cách này ...có sự khác nhau giữa emitter tiềm năng và cơ sở đó là quá nhỏ và do sự khác biệt giữa các cơ sở tiềm năng và nhà cung cấp tính nguồn bức xạ đang được quét vào căn cứ nhưng kể từ khi cơ sở là rất nhỏ nó chỉ có thể kết hợp lại một số các phí vận chuyển về đến và số còn lại do năng lượng của họ băng qua vùng căn cứ và di chuyển vào khu vực thu ....trong bộ sưu tập, có rất ít cơ hội của họ recombining với các lỗ và do đó chúng tôi nhận được thu hiện hành ...

 
Tôi biết những gì bạn đang nói.

Điện tử quét vào bộ sưu tập khi có E-lĩnh vực giữa cơ sở và bộ thu.

Câu hỏi của tôi là
Trong trường hợp trên, không có chênh lệch điện áp giữa B & C. Sau đó, E-đệ gây ra?

 
Anand A. Srinivasan đã viết:

đó là do E-Field gây ra giữa E & C (B )....
 
nó không phải là như thế ....nó là từ vùng p của B và khu vực n của C đến khu vực n của E. ...u được chỉ đạo từ nhiều hướng ...

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top