T
tyanata
Guest
Tôi có thiết kế mạch thiên vị được hiển thị trong hình.M1 và M2 là sâu sắc trong bão hòa, M3 và M4 nằm trong đảo ngược yếu.
Tôi biết rằng, tôi có thể nhân bản Ibias từ nút VBP nơi PMOS tranzistors nằm trong độ bão hòa.
Câu hỏi của tôi là sau đây: Có thể nhân bản Ibias từ VBN nút nơi NMOS tranzistors nằm trong đảo ngược yếu.
Tôi biết rằng, tôi có thể nhân bản Ibias từ nút VBP nơi PMOS tranzistors nằm trong độ bão hòa.
Câu hỏi của tôi là sau đây: Có thể nhân bản Ibias từ VBN nút nơi NMOS tranzistors nằm trong đảo ngược yếu.