Tôi cần được giúp đỡ với thiết kế subthreshold

[ranair123]

Tôi gặp một số vấn đề trong việc đưa ra các bóng bán dẫn hoạt động tại đảo ngược yếu.Các mạch thuộc được sử dụng như một sản phẩm tổng hợp khối.
Tất cả các dòng đầu vào có thể là giữa 0-1 UA.

Iy0 Iy1 <= 1uA
Ix0 Ix1 <= 1uA

Các transistor NMOS M1 đến M10 có kích thước [W = 5um, L = 0.5um].

Tôi đang sử dụng,
Vbx để làm cho M3, M5 hoạt động trong khu vực yếu kém và đảo ngược
Vby để làm cho M1, M2 hoạt động tại khu vực đảo ngược yếu.

Không có vấn đề gì giá trị i đặt Vbx và Vby, các VGS cho các bóng bán dẫn này không thay đổi.

Theo sự hiểu biết của tôi, để làm cho các bóng bán dẫn hoạt động tại đảo ngược yếu cửa cho nguồn điện áp dưới đây nên được 200mV (để có được tỉ lệ hiện hành cho số mũ của VGS)

Bất cứ ai có thể cho tôi biết liệu phương pháp tôi đang sử dụng để thiết lập này là đúng hay sai.Và là sự hiểu biết của tôi có đúng không?

Cảm ơn,
ranair123

PS: NMOS M11 [w = 4um L = 4um] là hoạt động như một nguồn hiện tại của 1uA.
Bài ranair123 vào ngày 25 tháng 11 năm 2005 05:38; thời gian chỉnh sửa trong tổng số 1

 

[| IAngel |]

Tôi không có thời gian để nhìn đêm nay, nhưng để có được FETs trong subthreshold, tất cả những gì bạn cần là để đảm bảo rằng VGS <VT.Điều đó đặt bạn trong "cắt" (nay subthreshold đặt tên, vì nó vẫn có thể được sử dụng để làm thiết bị hoạt động).

Không có quá trình (viết tắt của thiết bị thấp VT) có VT mà thấp.Đối với phụ ngưỡng sử dụng, bạn nên có VGS <400mV.Càng thấp trong khu vực, càng có nhiều tuyến tính và ít có khả năng nó sẽ trôi dạt vào đảo ngược-trung bình, nhưng chậm hơn nó sẽ được.

Tôi có thể nhìn vào ngày mai này nếu không có ai khác đã bao phủ nó.

 

[pthoppay]

Hi,

để giữ gì là kích thước mà bạn đã M3 và M5?Như đã nói trước đó rất khó để thực hiện một công việc đảo ngược bóng bán dẫn trong VGS yếu từ quan điểm.Nhưng kể từ khi ở đây hiện nay là cố định, những gì bạn có thể làm là tăng kích thước của bóng bán dẫn và có bằng đẩy các bóng bán dẫn từ đảo ngược mạnh mẽ để đảo ngược yếu cho một dòng nhất định.

Theo tôi nó là phương pháp tốt nhất để làm.

Nếu bạn muốn những điều này từ quan điểm toán học về xem cho tôi biết.

Kính trọng,
Prakash.

 

[ranair123]

@ Prakash,

Các bóng bán dẫn có kích thước [W = 5um, L = 0.5um].
Tôi muốn biết nếu kích thước của bóng bán dẫn được một giải pháp, sau đó tôi cũng có thể là loại bỏ các điện áp tham chiếu Vbx và Vby isnt nó?

@ | IAngel |

Điện áp ngưỡng của bóng bán dẫn tôi đang sử dụng là trong V. 0,65 Và tất cả các bóng bán dẫn đang hoạt động với VGS ít hơn 0,65 V, mà tôi nghĩ là khu vực subthreshold gọi là như vậy.

Nhưng ở đây hiện hành là không chính xác tỷ lệ thuận với số mũ của VGS.những gì tôi đã làm được, tôi vẽ d (ln (ID)) / d (VGS) và chỉ cho VGS <0,2 V, cốt truyện đã được đổi.Vì vậy, tôi nghĩ chỉ trong khu vực này là hàm mũ.nhầm lẫn khác của tôi là,
Không nên các điện áp tham chiếu Vbx và Vby có bất kỳ ảnh hưởng đến VGS???hoặc trong mạch này cụ thể, chúng được sử dụng để làm cho MOS 7,8,9,10 hoạt động dưới ngưỡng?

Vui lòng ân xá vô minh của tôi nhầm lẫn về khái niệm riêng của mình.

 

[pthoppay]

Hi,

I didnt phân tích mạch của bạn đầy đủ.Nhưng khi tôi liếc nhìn qua nó, để hoạt động M1.M2, M3, M5 trong WI, những gì tôi sẽ làm được những điều sau đây.

1) Khi bạn nói, Đương Xiên là không cần thiết nếu bạn có quy mô bóng bán dẫn của bạn, nhưng hãy cẩn thận bóng bán dẫn của bạn sẽ được đủ lớn.
2) Hủy bỏ các Đương Xiên, và mặt đất là nguồn gốc của tất cả các NMOS.
3) Do số lượng hiện tại mỗi bóng bán dẫn được thực hiện

Ex M1, M5 0,7 u
M2, M3 0.3u

Tính toán đầu tiên Ilim = 2 * μ * W / L * Cox * n * Út ^ 2 (bạn không biết W / L, hãy để nó như là biến)

Trường hợp n = 1 (cd / cox), có thể giả định khoảng 1,5 cho NMOS.

Sau đó, để hoạt động bóng bán dẫn trong WI có Ilim = I * 8, tính toán W / L từ này.

Sửa chữa W / L và bạn sẽ thấy những bóng bán dẫn hoạt động trong WI (Đối với ex =. Tôi 0,7 u * 8 = 5.6u là Ilim tính W / L từ này).

Hãy cho tôi biết nếu bạn phải đối mặt với bất kỳ probelms.Đối với câu hỏi khác của bạn, vs hiện tại VGS không được tuyến tính có thể là do sự phụ thuộc vào "n" ở điện áp cao hơn, nơi mà "n" có ý nghĩa như được định nghĩa ở trên.Trên thực tế Id là protional để exp (VGS / nVt) và không exp (VGS / VT) trong chế độ phụ ngưỡng.
Kính trọng,
Prakash.

 

[pseudockb]

Tôi nghĩ rằng Prakash đã thực hiện một điểm trong sự thiên vị để làm thế nào để đảo ngược xtors trong yếu.Tôi sẽ đề nghị cũng cố gắng để âm mưu một đường cong của ln (Id) vs VGS.Vùng tuyến tính của đường cong là nơi bạn có khu vực đảo ngược yếu của bạn.