Sự khác biệt giữa công nghệ SiGe và Si trong thiết kế VCO

[zhouchunyu]

Tôi muốn kown sự khác biệt giữa SiGe và Si công nghệ cho việc thiết kế cấu trúc liên kết VCO

 

[khouly]

SiGe công nghệ là một công nghệ BICMOS bao gồm HBT "hetrojunction lưỡng cực Transisitor" các cơ sở của tarnsistor đây là một SiGe mà làm cho FT các thiết bị rất nhanh thường khoảng 60-70 GHz nên u có thể sử dụng những của HBT trong desing VCO như cmos cặp chéo kết khouly

 

[vfone]

SiGe đã đóng góp thấp hơn tiếng ồn nhấp nháy để đóng trong giai đoạn tiếng ồn.

 

[biff44]

Tôi không nghĩ rằng SiGe đã rung tiếng ồn thấp hơn so với Si. SiGe hoạt động ở tần số cao hơn, nhưng thêm rằng doping sẽ nâng cao tiếng ồn nhấp nháy trong SiGe, có phải không?