Power MOSFET và MOSFET thông thường

[RobertoShao]

i không biết rất rõ về cả hai loại MOSFET

Là sức mạnh MOSFET loại MOSFET lớn kích thước bình thường?

hoặc điện MOSFET quá trình sử dụng khác nhau

nếu chúng tôi sử dụng tsmc0.25um 2.5V/5V, và làm việc hiện nay là gần 2A

có thể chúng tôi chỉ sử dụng các bóng bán dẫn chỉ bằng MOSFET chiều rộng lớn, có thể 20mm

cảm ơn bạn!

 

[EleApollo]

Power MOSFET là công nghệ khác nhau để bình thường nhất.Nó không chỉ có kích thước lớn và độ dày của các oxit và như vậy là diiferet

 

[tlihu]

Chắc chắn quá trình là một vấn đề.Tuy nhiên, nếu bạn muốn sử dụng để thực hiện quá trình logic MOSFET điện, mô hình là điều đầu tiên để kiểm tra.Thông thường các tham số mô hình đã được dựa trên kích thước nhỏ hơn nhiều MOSFET.Vì vậy, hãy yêu cầu TSMC trước khi bạn đi.

 

[cetc1525]

Mos quyền lực có sự khác biệt từ nomal.it 's trở lại là drain.it' s hiện dòng chảy thẳng.

 

[sunking]

It depond ngày bạn yêu cầu.
Trong thực tế, bạn có thể sử dụng lớn MOSFET thông thường như MOSFET điện, như 2A hiện hành.Một số thiết bị sử dụng nó ngay cả 4A.but diện tích lớn.

 

[huanchou]

Các MOSFET điện được sử dụng để điện áp cao và ứng dụng hiện tại,
kích thước của nó lớn hơn bình thường nhất, và nguyên tắc thiết kế là hơi khác với bình thường nhất.

 

[selvaraja]

Chào
Các MOSFET điện được sử dụng cho điện áp cao và ứng dụng hiện tại, độ dày oxit là khác nhau so sánh với quá trình chuẩn CMOS submicron.MOSFET Power không có nghĩa là cho các ứng dụng tần số cao

 

[RobertoShao]

cetc1525 đã viết:

Mos quyền lực có sự khác biệt từ nomal.it 's trở lại là drain.it' s hiện dòng chảy thẳng.

 

[Colbhaidh]

Cố gắng
h ** p: / / www.irf.com / kỹ thuật-info / papers.html

Điển hình bóng bán dẫn điện áp cao là rời rạc như họ không tích hợp tốt.
Điện áp cao nhất TSMC hoặc UMC hoặc Chartered sẽ có khoảng 40V tops (hoặc / - 20V) và các bên sẽ được LDMOS thiết bị.

 

[omsi]

sự khác biệt rất cơ bản giữa hai là cho MOSFET điện oxit cửa khẩu là dày và có điện áp ngưỡng cao và có thể chịu được điện áp đầu vào cao.
nơi làm cho MOSFET thông thường, các cửa khẩu oxit mỏng và không thể chịu được điện áp cao và thiệt hại oxit cửa khẩu khi điện áp cao được áp dụng.

 

[cicer]

nó là cấu trúc khác nhau giữa điện MOSFET và MOSFET thông thường, điện MOSFET, cho LDMOS dụ, VDMOS vv
Tôi nghĩ rằng tập tin PCM nên cho cấu trúc của bạn.