Câu hỏi về MOS điện trở như bộ lọc RC

[kevinlin]

Xin chào tất cả mọi người, tôi đã mô phỏng một bộ lọc rc đơn giản mà NMOS chơi như một NMOS resistor.The là thiên vị ở ngưỡng và khu vực triode, vì vậy nó có thể có sức đề kháng lớn. Trong mô phỏng AC, tôi tìm thấy một kết quả dự đoán một cực tần số thấp xuất hiện, nhưng theo sau là một số không RHP là confused.Where nó đến từ? Trong mô phỏng xuyên, tôi thấy dc điểm không phải là 400mv bằng nhưng từ từ tăng lên 370mv và không bao giờ bắt kịp để 400mv, meaned có sinked hiện hành trong MOSFET? Cảm ơn bạn đã cho tôi Giải thích.

 

[LvW]

[Quote = kevinlin tất cả mọi người, tôi đã mô phỏng một bộ lọc rc đơn giản mà NMOS chơi như một NMOS resistor.The là thiên vị ở ngưỡng và khu vực triode, vì vậy nó có thể có sức đề kháng lớn. ............... [/Quote] điều kiện Bias được thành lập thông qua nguồn điện áp cửa. Tuy nhiên, nút nguồn của bạn là thả nổi. Hơn thế nữa, không có hiện dc có thể chảy thông qua các đường dẫn nguồn cống. Hãy cẩn thận, mô phỏng ac không phải lúc nào cũng cho bạn biết sự thật!

 

[kevinlin]

Có, nó is.In lựa chọn của tôi, đó là một bộ lọc thông qua thấp. Trong mô phỏng của tôi, tôi thấy rằng nó không phải là một điện trở tuyến tính phí và tắt cap là khác nhau.

 

[FvM]

Trong mô phỏng của tôi, tôi thấy nó không phải là một điện trở tuyến tính

Không đáng ngạc nhiên, trên thực tế. Về chức năng truyền tải không, bạn chỉ đơn giản là có thể giả định một đĩa CD (rất nhỏ) của một vài FF ... Ngoài ra không có gì đáng ngạc nhiên cho một thiết bị thực sự.

 

[rfsystem]

Sử dụng một MOS như điện trở trong triode nhưng trong khu vực subthreshold là khó khăn bởi vì sự thay đổi trong điện áp DC thay đổi cuộc kháng chiến có hiệu quả một cách theo cấp số nhân. Các giải pháp mạch là ổ đĩa cửa khẩu là dependend vào điện áp thiết bị đầu cuối điện trở. Tuy nhiên, hiệu ứng bề mặt làm cho việc thực hiện cho NMOS khó khăn. Nó là dễ dàng hơn với NMOS hoặc PMOS bị cô lập nơi mà bề mặt có thể được kết nối với bộ lọc đầu vào. Sau đó, cửa khẩu được điều khiển bởi một amp mà thay đổi điện áp đầu vào DC của bộ lọc điện áp điện trở ổ MOS cổng. Đối với các đĩa CD mà hành động như là nguồn gốc của số không, tôi đã nghi ngờ rằng mô hình là chính xác. Nếu bạn mặt đất bề mặt có một nắp đi lạc từ cống để nguồn. Cổng hoạt động như một lá chắn. Ở tần số cao hơn một mô hình phân phối MOS chia một kênh điển hình dài thành các đoạn kênh ngắn hơn là chính xác hơn. Ngoài ra ở đây một đĩa CD là điển hình không tìm thấy. Các chất nền có một sức đề kháng phân phối và tôi nghĩ rằng đưa ra một số trực tiếp nối từ cống tác động nguồn kênh w / o. Vì vậy, có một cái nhìn cận cảnh mô hình của bạn.