L
leonken
Guest
Kiến trúc của khuếch đại từ
Op-amps và mạch điện khởi động để tham khảo bandgap CMOS với gần 1-V cung cấp
Boni, A.;
Solid-State Circuits, IEEE Journal of
Volume 37, Issue 10, tháng 10 năm 2002 Page (s): 1339-1343
Digital Object Identifier 10.1109/JSSC.2002.803055
Tóm tắt: Thiết kế của bandgap-tham chiếu điện áp dựa vào CMOS thiết kế kỹ thuật số tăng nhiều khó khăn, như là nguồn cung cấp điện áp thấp hơn bandgap silic trong volts điện tử, nghĩa là, 1,2 V. A-kiến trúc hiện chế độ được sử dụng để địa chỉ mai .....
Các câu hỏi là:
1.Làm thế nào để nhận ra các phản hồi chế độ phổ biến bằng cách sử dụng m1, m2, m0a và m0b trong giai đoạn đầu vào.
2.Các m1, m2 m0a và m0b hoạt động tại đảo ngược yếu.Làm thế nào để đạt được 60 dB DC đạt được của khuếch đại như vậy?
3.Liệu M5 và M6 hoạt động tại đảo ngược quá yếu, hoặc trong vùng bão hòa?
Cảm ơn bạn!!
Xin lỗi, nhưng bạn cần phải đăng nhập để xem tập tin đính kèm này
Op-amps và mạch điện khởi động để tham khảo bandgap CMOS với gần 1-V cung cấp
Boni, A.;
Solid-State Circuits, IEEE Journal of
Volume 37, Issue 10, tháng 10 năm 2002 Page (s): 1339-1343
Digital Object Identifier 10.1109/JSSC.2002.803055
Tóm tắt: Thiết kế của bandgap-tham chiếu điện áp dựa vào CMOS thiết kế kỹ thuật số tăng nhiều khó khăn, như là nguồn cung cấp điện áp thấp hơn bandgap silic trong volts điện tử, nghĩa là, 1,2 V. A-kiến trúc hiện chế độ được sử dụng để địa chỉ mai .....
Các câu hỏi là:
1.Làm thế nào để nhận ra các phản hồi chế độ phổ biến bằng cách sử dụng m1, m2, m0a và m0b trong giai đoạn đầu vào.
2.Các m1, m2 m0a và m0b hoạt động tại đảo ngược yếu.Làm thế nào để đạt được 60 dB DC đạt được của khuếch đại như vậy?
3.Liệu M5 và M6 hoạt động tại đảo ngược quá yếu, hoặc trong vùng bão hòa?
Cảm ơn bạn!!
Xin lỗi, nhưng bạn cần phải đăng nhập để xem tập tin đính kèm này