Điều gì sẽ quyết định thả VDS sai lệch cấu trúc bóng bán dẫn 4 ở cascode?

[rampat]

Hi All Tôi có một question.if rất cơ bản bạn có 4 bóng bán dẫn (2 PMOS 2 NMOS) trong cấu trúc cascode, những gì sẽ quyết định thả VDS trên mỗi bóng bán dẫn giả sử tất cả đang ở trong độ bão hòa? nhờ rampat

 

[amir88]

Tôi không thể hiểu được bạn nhưng tôi nghĩ bạn nên xem xét các equ: NMOS:. VDS> VGS-VTH PMOS: VDS <VGS-VTH

 

[checkmate]

Các VDS sẽ được quyết định bởi các kháng đầu ra, nhân với Xu hướng hiện hành. Nếu bạn cố gắng để buộc Xu hướng hiện nay cả hai cùng từ phía bên PMOS và NMOS, họ không phù hợp, đó sẽ buộc một bên vào vùng tuyến tính. Đó là lý do tại sao một CMFB là cần thiết cho các bộ khuếch đại vi sai hoàn toàn với lực lượng trong giai đoạn đầu ra để duy trì độ bão hòa.

 

[Teddy]

Vâng đây là một vấn đề bit. Nếu bạn sử dụng các nguyên tắc cơ bản amir88 đề nghị bạn sẽ overdesign. Quy luật này có giá trị hình học lớn (hơn 1um cửa chiều dài) kể từ khi nó không bao gồm tất cả các hiệu ứng. Nếu bạn đi thấp hơn, tôi sẽ khuyên bạn nên sử dụng các tham số vdsat từ mô hình. Tìm kiếm BSIM3 mô hình giải thích vdsat.

 

[dick_freebird]

Các VDS của "thầy" các thiết bị sẽ là sai lệch điện áp cascode, ít VT của "bảo vệ" các thiết bị (VGS @ ID điểm đặt). Các 'bảo vệ VDS có lẽ mang tín hiệu đầu ra quan tâm và sẽ thay đổi nhiều trong ứng dụng. Bạn có thể giả định một điểm chung, chế độ cho các mục đích phân tích. Một bộ khuếch đại mà mang ra giả định rằng tất cả đều trong độ bão hòa, có lẽ sẽ có một phạm vi rất ít năng động hơn mà vẫn còn đúng sự thật. Bên ngoài có nhiều bạn mong chờ để xem phân hủy được, bù đắp tích luỹ, vv

 

[amir88]

Cũng là một vấn đề bit. Nếu bạn sử dụng các nguyên tắc cơ bản amir88 đề nghị bạn sẽ overdesign. Quy luật này có giá trị hình học lớn (hơn 1um cửa chiều dài) kể từ khi nó không bao gồm tất cả các hiệu ứng. Nếu bạn đi thấp hơn, tôi sẽ khuyên bạn nên sử dụng các tham số vdsat từ mô hình. . Mô hình BSIM3 Tìm lời giải thích vdsat

Teddy là đúng:. D